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寬域變溫掃描MDP-PICTS技術(shù)革新半導(dǎo)體質(zhì)控的三大核心突破在光伏與微電子產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的今天，半導(dǎo)體材料的質(zhì)量控制已成為決定產(chǎn)品良率與成本的核心要素。傳統(tǒng)電學(xué)表征技術(shù)因需接觸式電極制備，存在破壞樣品、空間分辨率低、難以適應(yīng)產(chǎn)線節(jié)奏等痛點(diǎn)。FreibergInstruments公司憑借其革命性的微波檢測(cè)技術(shù)——微波探測(cè)光導(dǎo)率（MDP）與微波探測(cè)光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜（MDPICTS），正在全球半導(dǎo)體材料分析領(lǐng)域掀起技術(shù)革新浪潮。一、技術(shù) -
基于深度分辨光電導(dǎo)法的半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)---Freiberg Instruments MDP技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)向多層化、薄層化發(fā)展，傳統(tǒng)載流子壽命檢測(cè)技術(shù)已難以滿足精度需求。固定激發(fā)深度的測(cè)量方法無法區(qū)分表面重組效應(yīng)與體材料/界面缺陷，導(dǎo)致工藝優(yōu)化缺乏針對(duì)性指導(dǎo)。FreibergInstruments公司在相關(guān)期刊發(fā)表的突破性研究表明，其新型微波檢測(cè)光電導(dǎo)率系統(tǒng)（MDP）通過可編程脈沖激光激發(fā)與深度關(guān)聯(lián)算法，首次實(shí)現(xiàn)5-300μm范圍內(nèi)缺陷分布的三維可視化(圖1)。圖1.厚度為 -
BiasMDP 技術(shù)搭配MDPmap設(shè)備---開啟表面鈍化檢測(cè)新方式在能源產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，追求更高效率的太陽能電池成為行業(yè)核心目標(biāo)。而這其中，表面鈍化技術(shù)的優(yōu)劣起著決定性作用。要深入理解和優(yōu)化表面鈍化，精準(zhǔn)測(cè)量固定電荷和界面缺陷密度這兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)至關(guān)重要。為大家介紹一項(xiàng)引領(lǐng)行業(yè)變革的創(chuàng)新技術(shù)——基于微波探測(cè)光電導(dǎo)衰減法（MDP）的BiasMDP技術(shù)，這一技術(shù)在實(shí)驗(yàn)測(cè)量環(huán)節(jié)，F(xiàn)reibergInstruments公司的MDPmap型號(hào) -
解鎖4H-SiC外延片潛力-MDP 技術(shù)的突破性應(yīng)用在半導(dǎo)體器件性能參數(shù)中，少數(shù)載流子壽命占據(jù)核心地位，尤其在SiC應(yīng)用于高壓器件時(shí)，其對(duì)整體性能起著決定性作用。通過控制載流子壽命，能顯著提升器件在不同場(chǎng)景下的表現(xiàn)。然而，4H-SiC外延層中，載流子壽命受多種復(fù)雜因素制約，外延層表面、與襯底的界面、外延層自身以及襯底都會(huì)影響載流子復(fù)合。同時(shí)，測(cè)量條件的差異，如激發(fā)波長和強(qiáng)度的變化，也會(huì)干擾有效載流子壽命的準(zhǔn)確測(cè)定。這使得精準(zhǔn)把握載流子壽命變得極 -
深能級(jí)缺陷表征-MDPICTS在半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用中，缺陷表征至關(guān)重要。特別是在中子嬗變摻雜（NTD）硅的處理過程中，了解其輻射誘導(dǎo)缺陷對(duì)于優(yōu)化退火條件、提升材料性能意義非凡。FreibergInstruments公司的微波探測(cè)光致電流瞬態(tài)光譜法（MDPICTS）技術(shù)（如圖1），為這一領(lǐng)域帶來了新的突破，展現(xiàn)出諸多傳統(tǒng)技術(shù)難以企及的優(yōu)點(diǎn)。NTD硅，因能實(shí)現(xiàn)極低的電阻率變化，在大面積輻射探測(cè)器制造中占據(jù)重要地位。然而，摻 -
少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀測(cè)定硅片中的鐵濃度鐵含量的準(zhǔn)確測(cè)定是非常重要的，因?yàn)殍F是硅中含量最豐富也是最有害的缺陷之一。因此，有必要盡可能準(zhǔn)確和快速地測(cè)量鐵濃度，并具有非常高的分辨率，最好是在線測(cè)量。使用德國FreibergMDPingot和MDPmap系列，可以全自動(dòng)測(cè)量晶錠和晶片中的鐵濃度，并具有高分辨率。鐵硼對(duì)解離前后的壽命測(cè)量是硅片鐵含量測(cè)定中廣泛應(yīng)用的方法。在高摻雜濃度的硼摻雜硅中，當(dāng)它用于光伏應(yīng)用時(shí)，幾乎100%的電活性鐵以F -
德國Freiberg少子壽命測(cè)試儀微波檢測(cè)到的光電導(dǎo)率德國FreibergMDP非常適合以下兩種方法，一是通過測(cè)量取決于注入量的少數(shù)載流子壽命來進(jìn)行缺陷調(diào)查，二是用于在線測(cè)量的晶圓甚至晶錠的圖形化。它在靈敏度、分辨率和速度方面超過了µPCD(微波檢測(cè)光導(dǎo)衰減)和QSSPC(準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光導(dǎo))。利用矩形激光脈沖激發(fā)前后的微波吸收，測(cè)量了與擴(kuò)散長度密切相關(guān)的光電導(dǎo)率。圖1顯示了德國FreibergMDP和MD-PICTS測(cè)量的測(cè)量原理。圖1.能 -
半導(dǎo)體18英寸晶圓片的少數(shù)載流子壽命圖幾年來，微電子行業(yè)正計(jì)劃將晶圓片直徑從300毫米(12英寸)擴(kuò)大到450毫米(18英寸)，以獲得更高的成品率?，F(xiàn)在已經(jīng)有了生產(chǎn)這種高質(zhì)量晶圓片的技術(shù)，但只有調(diào)整晶圓廠的成本問題，仍然無法轉(zhuǎn)移到更大的晶圓尺寸。這些450毫米晶圓片還需要檢查外部和內(nèi)部雜質(zhì)，因此需要高度空間分辨壽命測(cè)量。在與FraunhoferIISB的合作中，F(xiàn)reibergInstruments在EC資助的SEA4KET項(xiàng)目中
